Samsung anuncia una DRAM LPDDR5X a 10,7Gbps optimizada para las aplicaciones IA en el dispositivo
Samsung ha desarrollado una memoria DRAM LPDDR5X de 12 nanómetros que alcanza un rendimiento de 10,7 gigabits por segundo (Gbps) optimizado para las aplicaciones de inteligencia artificial (IA) que se ejecutan en el dispositivo.
La compañía surcoreana ha anunciado una memoria DRAM en la que ha utilizado el proceso de fabricación de 12nm, siendo el chip LPDDR de tamaño más pequeño hasta la fecha, con el que ofrece rendimiento y bajo consumo energético.
En concreto, esta memoria DRAM LPDDR5X está optimizada para la ejecución de aplicaciones de IA directamente en el dispositivo, y por ello alcanza un rendimiento de 10,7 Gbps, que supone un aumento del 25 por ciento y de un 30 por ciento en capacidad respecto de la generación anterior.
En el lado del consumo, Samsung este chip incorpora distintas tecnologías de ahorro de energía con las que consigue mejora la eficiencia energética en un 25 por ciento con respecto a la generación anterior.
Samsung ha informado en una nota de prensa de que la producción en masa de esta DRAM LPDDR5X comenzará a mediados de año.
